FTB772F Todos los transistores

 

FTB772F . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTB772F
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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FTB772F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:243K  first silicon
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FTB772F

SEMICONDUCTORFTB772FTECHNICAL DATA AFTB772F PNP TRANSISTORCHG FEATURES Low Speed SwitchingDDKF FDIM MILLIMETERSA 4.70 MAX_+B 2.50 0.20 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) C 1.70 MAX1 2 3D 0.45+0.15/-0.10E 4.25 MAX_+F 1.50 0.10Symbol Parameter Value Unit G 0.40 TYP1. BASEH 1.8 MAX2. COLLECTORVCBO Collector-Base Voltage -40

 8.1. Size:112K  first silicon
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FTB772F

SEMICONDUCTORFTB772TECHNICAL DATAAUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER LOW SPEED SWITCHINGDEAFEATURESComplementary to FTD882. CF GDIM MILLIMETERSBA 8.3 MAXMAXIMUM RATING (Ta=25 )B 11.30.3C 4.15 TYP1 2 3D 3.20.2CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITE 2.00.2H F 2.80.1IVCBO -40 VCollector-Base VoltageG 3.20.1H 1.270.1KVCEO -30 VCollector

 8.2. Size:245K  first silicon
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FTB772F

SEMICONDUCTORFTB772DTECHNICAL DATAFTB772D TRANSISTORAI FEATURESCJ Low Speed SwitchingDIM MILLIMETERSA 6 50 0 2B 5 60 0 2C 5 20 0 2 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) D 1 50 0 2E 2 70 0 2F 2 30 0 1Symbol Parameter Value Unit HH 1 00 MAXI 2 30 0 2LF FVCBO Collector-Base Voltage -40 V J 0 5 0 1L 0 50 0 101 2 3

Otros transistores... FTB1366F , FTB1386 , FTB1412 , FTB1424 , FTB5240 , FTB649A , FTB772 , FTB772D , C1815 , FTB834 , FTC1008 , FTC1027 , FTC1318 , FTC1675 , FTC1815 , FTC2316 , FTC2328A .

History: KTC4080E | MMBT2131 | BD415 | KTC9011S | GES3569 | SBC847BPDXV6 | BC337-040

 

 
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