FTC3876 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FTC3876
Código: HWO_HWY_HWG
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 35 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar FTC3876
FTC3876 Datasheet (PDF)
ftc3876.pdf
SEMICONDUCTORFTC3876TECHNICAL DATAGeneral Purpose TransistorsNPN Silicon We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.Purpose: General amplifier and switching application. Features: Excellent h linearity, complementary pair with FTA1505. FEAbsolute maximum ratings(Ta=25) 3 Symbol Rating Unit 2V 35 V CBO 1V 30 V CEO SOT 23
ftc3880.pdf
SEMICONDUCTORFTC3880TECHNICAL DATAPurpose: High frequency low noise amplifier. Features: Small reverse transfer capacitance, low noise figure.Absolute maximum ratings(Ta=25) 3Symbol Rating Unit 2V 40 V CBO 1V 30 V CEO SOT23V 4.0 V EBO I 20 mA C I -20 mA COLLECTORE 3P 150 mW C T 150 1j BASET -55150 stg 2 EMITTEREle
ftc3837.pdf
SEMICONDUCTORFTC3837TECHNICAL DATAHigh-Frequency Amplifier TransistorFeatures1.High transition frequency.(Typ.fT=1.5GHz)32.Small rbb`Cc and high gain.(Typ.6ps)23.Small NF.14.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.SOT23MAXIMUM RATINGS (T = 25C unless otherwise noted)AParameter Symbol Value UnitCOLLECTORCollector-Base Volta
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2SC509
History: 2SC509
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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