A966Y . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: A966Y
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 160
Paquete / Cubierta: TO92L
- Selección de transistores por parámetros
A966Y Datasheet (PDF)
a966o a966y.pdf

A966 PNP silicon APPLICATION: Audio Power Amplifier Applications.MAXIMUM RATINGSTa25PARAMETER SYMBOL RATING UNITCollector-base voltage VCBO -30 VCollector-emitter voltage VCEO -30 VTO-92L1Emitter-base voltage VEBO -5 V1. Emitter 2. Collector 3. BaseCollector current IC -1.5 ACollector Power Dissipation PC 900 mWJunc
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2SC3357D | L8550PLT3G | PN2222-H | 2SC3837 | 2SD1138
History: 2SC3357D | L8550PLT3G | PN2222-H | 2SC3837 | 2SD1138



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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