BU103AD Todos los transistores

 

BU103AD . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BU103AD
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 650 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 9 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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BU103AD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:111K  jdsemi
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BU103AD

RBU103AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

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RBU103A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222F

 8.2. Size:105K  jdsemi
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RBU103AH www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Charger and Switch-mode power supplies 222FEATURES 2 High voltage capa

 8.3. Size:207K  inchange semiconductor
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BU103AD

isc Silicon NPN Power Transistor BU103ADESCRIPTIONContinuous Collector Current-I = 1ACCollector Power Dissipation-: P = 30W @T = 25C CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for TV vertical applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 120 V

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History: UN1217Q | IMH11A | ESM213 | D26C3 | DRA9115T | SPS4066 | 2SB368

 

 
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