BU103AD Todos los transistores

 

BU103AD Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BU103AD
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 650 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 9 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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BU103AD datasheet

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BU103AD

R BU103AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Fluorescent Lamp Electronic Ballast and Switch-mode power supplies 2 2 2

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BU103AD

R BU103A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Fluorescent Lamp Electronic Ballast and Switch-mode power supplies 2 2 2 F

 8.2. Size:105K  jdsemi
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BU103AD

R BU103AH www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Charger and Switch-mode power supplies 2 2 2 FEATURES 2 High voltage capa

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BU103AD

isc Silicon NPN Power Transistor BU103A DESCRIPTION Continuous Collector Current-I = 1A C Collector Power Dissipation- P = 30W @T = 25 C C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for TV vertical applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 120 V

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