BU103AH Todos los transistores

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BU103AH . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BU103AH

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W

Tensión colector-base (Vcb): 900 V

Tensión colector-emisor (Vce): 600 V

Tensión emisor-base (Veb): 9 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 5 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 15

Empaquetado / Estuche: TO92

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BU103AH Datasheet (PDF)

1.1. bu103ah.pdf Size:105K _jdsemi

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R BU103AH 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1. 1. 1.APPLICATION 1. Charger and Switch-mode power supplies 2. 2. 2.FEATURES 2. High voltage capa

4.1. bu103a.pdf Size:305K _inchange_semiconductor

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BU103A DESCRIPTION ·Continuous Collector Current-IC= 1A ·Collector Power Dissipation- : PC= 30W @TC= 25? APPLICATIONS ·Designed for TV vertical applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25?) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 120 V VCER Collector-Emitter Voltage RBE= 220?

4.2. bu103a.pdf Size:109K _jdsemi

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R BU103A 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1. 1. 1.APPLICATION 1. Fluorescent Lamp、Electronic Ballast、 and Switch-mode power supplies 2. 2. 2.F

 4.3. bu103ad.pdf Size:111K _jdsemi

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R BU103AD 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1. 1. 1.APPLICATION 1. Fluorescent Lamp、Electronic Ballast、 and Switch-mode power supplies 2. 2. 2.

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