2N6533 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N6533 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 26 W
Tensión colector-base (Vcb): 120 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 20 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: TO66
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2N6533 datasheet
2n6533.pdf
Product Specification www.jmnic.com Silicon Power Transistors 2N6533 DESCRIPTION DARLINGTON With TO-220 package APPLICATIONS Power switching Hammer drivers Series and shunt regulators Audio amplifiers PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 emitter Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol Absolute maximum ratings(
2n6535.pdf
2N6535 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 6.35 (0.250) Metal Package. 8.64 (0.340) 3.68 (0.145) rad. 3.61 (0.142) max. 4.08(0.161) rad. Bipolar NPN Device. 1 2 VCEO = 100V IC = 8A All Semelab hermetically sealed products can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JANTXV and JANS speci
2n6537.pdf
2N6537 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 6.35 (0.250) Metal Package. 8.64 (0.340) 3.68 (0.145) rad. 3.61 (0.142) max. 4.08(0.161) rad. Bipolar NPN Device. 1 2 VCEO = 120V IC = 8A All Semelab hermetically sealed products can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JANTXV and JANS speci
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Liste
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