3DD128_Y8D Todos los transistores

 

3DD128_Y8D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DD128_Y8D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
   Tensión colector-base (Vcb): 350 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
   Tensión emisor-base (Veb): 9 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

3DD128_Y8D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:155K  crhj
 3dd128 y8d.pdf pdf_icon

3DD128_Y8D

NPN R 3DD128 Y8D 3DD128 Y8D NPN VCEO 200 V IC 4 A Ptot TC=25 60 W

 7.1. Size:154K  crhj
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3DD128_Y8D

NPN R 3DD128 A8D 3DD128 A8D NPN VCEO 200 V IC 5 A Ptot TC=25 60 W

 8.1. Size:150K  crhj
 3dd128fh6d.pdf pdf_icon

3DD128_Y8D

NPN R 3DD128F H6D 3DD128F H6D VCEO 200 V NPN IC 3.5 A Ptot TC=25 50 W

 8.2. Size:154K  crhj
 3dd128fh8d.pdf pdf_icon

3DD128_Y8D

NPN R 3DD128F H8D 3DD128F H8D VCEO 200 V NPN IC 3.5 A Ptot TC=25 60 W

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History: 2SC2878B | PBSS305ND | RT1N250U | MMBT2907A-G | BC817-40 | D45VH4 | 3SC2655

 

 
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