3DD128_Y8D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD128_Y8D  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220AB

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD128_Y8D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD128_Y8D даташит

 ..1. Size:155K  crhj
 3dd128 y8d.pdf pdf_icon

3DD128_Y8D

NPN R 3DD128 Y8D 3DD128 Y8D NPN VCEO 200 V IC 4 A Ptot TC=25 60 W

 7.1. Size:154K  crhj
 3dd128 a8d.pdf pdf_icon

3DD128_Y8D

NPN R 3DD128 A8D 3DD128 A8D NPN VCEO 200 V IC 5 A Ptot TC=25 60 W

 8.1. Size:150K  crhj
 3dd128fh6d.pdf pdf_icon

3DD128_Y8D

 8.2. Size:154K  crhj
 3dd128fh8d.pdf pdf_icon

3DD128_Y8D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: S13003ADL, S13003DL, S13005A, S13005ED, 3DD127_D3, 3DD127_D5, 3DD127D, 3DD128_A8D, 2SD313, 3DD128F, 3DD128F_A7D, 3DD128F_H3D, 3DD128F_H5D, 3DD128F_H6D, 3DD128F_H8D, 3DD13001_A1, 3DD13002_B1