3DD128F . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD128F
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
Tensión colector-base (Vcb): 350 V
Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
Tensión emisor-base (Veb): 9 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO126F
Búsqueda de reemplazo de 3DD128F
3DD128F Datasheet (PDF)
3dd128f h8d.pdf

NPN R 3DD128F H8D 3DD128F H8D VCEO 200 V NPN IC 3.5 A Ptot TC=25 60 W
3dd128f a7d.pdf

NPN R 3DD128F A7D 3DD128F A7D NPN VCEO 200 V IC 5 A , Ptot TC=25 50 W
3dd128f h6d.pdf

NPN R 3DD128F H6D 3DD128F H6D VCEO 200 V NPN IC 3.5 A Ptot TC=25 50 W
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: K129NT1D-1 | BFQ80 | BC560CTA | 2SD1037 | 2SD1011 | MP5550R | PMBT4401YS
History: K129NT1D-1 | BFQ80 | BC560CTA | 2SD1037 | 2SD1011 | MP5550R | PMBT4401YS



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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