3DD128F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD128F  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO126F

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD128F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD128F даташит

 ..1. Size:155K  crhj
 3dd128f h8d.pdf pdf_icon

3DD128F

 ..2. Size:147K  crhj
 3dd128f a7d.pdf pdf_icon

3DD128F

 ..3. Size:151K  crhj
 3dd128f.pdf pdf_icon

3DD128F

NPN R 3DD128F 3DD128F NPN VCEO 200 V IC 4 A Ptot TC=25 50 W

 ..4. Size:150K  crhj
 3dd128f h6d.pdf pdf_icon

3DD128F

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: S13003DL, S13005A, S13005ED, 3DD127_D3, 3DD127_D5, 3DD127D, 3DD128_A8D, 3DD128_Y8D, 2SD2499, 3DD128F_A7D, 3DD128F_H3D, 3DD128F_H5D, 3DD128F_H6D, 3DD128F_H8D, 3DD13001_A1, 3DD13002_B1, 3DD13002_B1-7