3DD128F_H8D Todos los transistores

 

3DD128F_H8D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DD128F_H8D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
   Tensión colector-base (Vcb): 350 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
   Tensión emisor-base (Veb): 9 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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3DD128F_H8D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:155K  crhj
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3DD128F_H8D

NPN R 3DD128F H8D 3DD128F H8D VCEO 200 V NPN IC 3.5 A Ptot TC=25 60 W

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3DD128F_H8D

NPN R 3DD128F H6D 3DD128F H6D VCEO 200 V NPN IC 3.5 A Ptot TC=25 50 W

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3DD128F_H8D

NPN R 3DD128F H5D 3DD128F H5D VCEO 200 V NPN IC 3.5 A Ptot TC=25 50 W

 5.3. Size:148K  crhj
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3DD128F_H8D

NPN R 3DD128F H3D 3DD128F H3D VCEO 200 V NPN IC 3.5 A Ptot TC=25 40 W

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History: KRA110 | DDTB133HC | PVR100AD-B12V | BC486 | PBHV8118T | EN3013 | 2SD1325R

 

 
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