3DD128F_H8D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD128F_H8D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220AB

 Аналоги (замена) для 3DD128F_H8D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD128F_H8D даташит

 ..1. Size:155K  crhj
 3dd128f h8d.pdf pdf_icon

3DD128F_H8D

 5.1. Size:150K  crhj
 3dd128f h6d.pdf pdf_icon

3DD128F_H8D

 5.2. Size:148K  crhj
 3dd128f h5d.pdf pdf_icon

3DD128F_H8D

 5.3. Size:148K  crhj
 3dd128f h3d.pdf pdf_icon

3DD128F_H8D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD127D, 3DD128_A8D, 3DD128_Y8D, 3DD128F, 3DD128F_A7D, 3DD128F_H3D, 3DD128F_H5D, 3DD128F_H6D, TIP42, 3DD13001_A1, 3DD13002_B1, 3DD13002_B1-7, 3DD13002_RUD, 3DD13003_E6D, 3DD13003_F1D, 3DD13003_F3D, 3DD13003_F6D