3DD13003_U1D Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DD13003_U1D

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W

Tensión colector-base (Vcb): 350 V

Tensión colector-emisor (Vce): 200 V

Tensión emisor-base (Veb): 9 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO92

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3DD13003_U1D datasheet

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3DD13003_U1D

NPN R 3DD13003 U1D 3DD13003 U1D VCEO 200 V NPN IC 1.8 A Ptot Ta=25 0.8 W

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3DD13003_U1D

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3DD13003_U1D

NPN R 3DD13003 U3D 3DD13003 U3D VCEO 200 V NPN IC 1.8 A Ptot TC=25 30 W

 5.1. Size:246K  lge
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3DD13003_U1D

3DD13003(NPN) TO-220 Transistor TO-220 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 2 1 Features power switching applications MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V Dimensions in inches and (millimeters) VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC Collector Current -Continuou

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