3DD13003_U1D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 3DD13003_U1D
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для 3DD13003_U1D
3DD13003_U1D Datasheet (PDF)
3dd13003 u1d.pdf
NPN R 3DD13003 U1D 3DD13003 U1D VCEO 200 V NPN IC 1.8 A Ptot Ta=25 0.8 W
3dd13003 u3d.pdf
NPN R 3DD13003 U3D 3DD13003 U3D VCEO 200 V NPN IC 1.8 A Ptot TC=25 30 W
3dd13003 to-220-3l.pdf
3DD13003(NPN) TO-220 Transistor TO-220 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 2 1 Features power switching applications MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V Dimensions in inches and (millimeters) VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC Collector Current -Continuou
Другие транзисторы... 3DD13003_J6D , 3DD13003_J8D , 3DD13003_K6 , 3DD13003_K8 , 3DD13003_M6D , 3DD13003_M8D , 3DD13003_S1D , 3DD13003_SUD , BC556 , 3DD13003_U3D , 3DD13003_U6D , 3DD13003_V1D , 3DD13003_V6D , 3DD13003_VUD , 3DD13003_W3D , 3DD13003_W6D , 3DD13003_X1 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884 | bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet | 2sa1210




























