3DD13007_Y8 Todos los transistores

 

3DD13007_Y8 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DD13007_Y8
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
   Tensión colector-base (Vcb): 520 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 340 V
   Tensión emisor-base (Veb): 9 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

3DD13007_Y8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:153K  crhj
 3dd13007 y8.pdf pdf_icon

3DD13007_Y8

NPN R 3DD13007 Y8 3DD13007 Y8 NPN VCEO 340 V IC 7 A Ptot W TC=25 80

 5.1. Size:154K  crhj
 3dd13007 z8.pdf pdf_icon

3DD13007_Y8

NPN R 3DD13007 Z8 3DD13007 Z8 NPN VCEO 200 V IC 8 A Ptot TC=25 75 W

 5.2. Size:155K  crhj
 3dd13007 b8.pdf pdf_icon

3DD13007_Y8

NPN R 3DD13007 B8 3DD13007 B8 NPN VCEO 400 V IC 8 A Ptot W TC=25 80

 5.3. Size:151K  crhj
 3dd13007 z7.pdf pdf_icon

3DD13007_Y8

NPN R 3DD13007 Z7 3DD13007 Z7 NPN VCEO 200 V IC 8 A Ptot TC=25 50 W

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History: TBC546 | CX954E | MMBR4957LT3 | BSY83 | FX4960 | DC8550D | HS6010

 

 
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