Биполярный транзистор 3DD13007_Y8 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DD13007_Y8
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 520 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 340 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO220AB
Аналоги (замена) для 3DD13007_Y8
3DD13007_Y8 Datasheet (PDF)
3dd13007 y8.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
NPN R 3DD13007 Y8 3DD13007 Y8 NPN VCEO 340 V IC 7 A Ptot W TC=25 80
3dd13007 z8.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
NPN R 3DD13007 Z8 3DD13007 Z8 NPN VCEO 200 V IC 8 A Ptot TC=25 75 W
3dd13007 b8.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
NPN R 3DD13007 B8 3DD13007 B8 NPN VCEO 400 V IC 8 A Ptot W TC=25 80
3dd13007 z7.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
NPN R 3DD13007 Z7 3DD13007 Z7 NPN VCEO 200 V IC 8 A Ptot TC=25 50 W
3dd13007 x1.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
NPN R 3DD13007 X1 3DD13007 X1 NPN VCEO 400 V IC 8 A Ptot W TC=25 80
3dd13007 h8d.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
NPN R 3DD13007 H8D 3DD13007 H8D NPN VCEO 400 V IC 9 A Ptot W TC=25 90
3dd13007 b8d.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
NPN R 3DD13007 B8D 3DD13007 B8D NPN VCEO 400 V IC 7 A Ptot TC=25 80 W
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .