3DD13009_AN Todos los transistores

 

3DD13009_AN Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DD13009_AN

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 120 W

Tensión colector-base (Vcb): 700 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 9 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO3PN

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3DD13009_AN datasheet

 ..1. Size:155K  crhj
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3DD13009_AN

 4.1. Size:153K  crhj
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3DD13009_AN

NPN R 3DD13009 A8 3DD13009 A8 NPN VCEO 400 V IC 12 A Ptot TC=25 100 W

 5.1. Size:154K  crhj
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3DD13009_AN

 5.2. Size:154K  crhj
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3DD13009_AN

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