Биполярный транзистор 3DD13009_AN Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 3DD13009_AN
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO3PN
Аналог (замена) для 3DD13009_AN
3DD13009_AN Datasheet (PDF)
3dd13009 an.pdf
NPN R 3DD13009 AN 3DD13009 AN NPN VCEO 400 V IC 12 A Ptot TC=25 120 W
3dd13009 a8.pdf
NPN R 3DD13009 A8 3DD13009 A8 NPN VCEO 400 V IC 12 A Ptot TC=25 100 W
3dd13009 x8d.pdf
NPN R 3DD13009 X8D 3DD13009 X8D VCEO 200 V NPN IC 12 A Ptot TC=25 100 W
3dd13009 c8.pdf
NPN R 3DD13009 C8 3DD13009 C8 NPN VCEO 400 V IC 12 A Ptot TC=25 100 W
Другие транзисторы... 3DD13007_B8 , 3DD13007_H8D , 3DD13007_X1 , 3DD13007_Y8 , 3DD13007_Z7 , 3DD13007_Z8 , 3DD13007_B8D , 3DD13009_A8 , 2N3906 , 3DD13009_C8 , 3DD13009_X8D , 3DD13012_A8 , 3DD13012_AN , 3DD3015_A1 , 3DD3015_A3 , 3DD3020_A3 , 3DD3020_A6 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor