3DD13012_A8 Todos los transistores

 

3DD13012_A8 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DD13012_A8

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 750 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 5 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 15

Empaquetado / Estuche: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3DD13012_A8

 

3DD13012_A8 Datasheet (PDF)

1.1. 3dd13012 a8.pdf Size:155K _crhj

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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13012 A8 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13012 A8 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管, VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 15 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 100 W 结构

1.2. 3dd13012 an.pdf Size:161K _crhj

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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13012 AN 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13012 AN 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管,该产品 VCEO 400 V ● 高温特性好 IC 15 A 采用平面工艺,分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 120 W 结构和少

 2.1. 3dd13012a8.pdf Size:155K _china

3DD13012_A8
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13012 A8 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13012 A8 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管, VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 15 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 100 W 结构

2.2. 3dd13012an.pdf Size:160K _china

3DD13012_A8
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13012 AN 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13012 AN 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管,该产品 VCEO 400 V ● 高温特性好 IC 15 A 采用平面工艺,分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 120 W 结构和少

Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 431 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
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