3DD13012_AN . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD13012_AN
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 120 W
Tensión colector-base (Vcb): 750 V
Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO3PN
- Selección de transistores por parámetros
3DD13012_AN Datasheet (PDF)
3dd13012 an.pdf

NPN R 3DD13012 AN 3DD13012 AN NPN VCEO 400 V IC 15 A Ptot TC=25 120 W
3dd13012 a8.pdf

NPN R 3DD13012 A8 3DD13012 A8 NPN VCEO 400 V IC 15 A Ptot TC=25 100 W
3dd13012an.pdf

NPN R 3DD13012 AN 3DD13012 AN NPN VCEO 400 V IC 15 A Ptot TC=25 120 W
3dd13012a8.pdf

NPN R 3DD13012 A8 3DD13012 A8 NPN VCEO 400 V IC 15 A Ptot TC=25 100 W
Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: HEPS5000 | STA485A | 2SC4063 | 2SD998 | BUJD105AD | BDX13-5 | BCX79IX
History: HEPS5000 | STA485A | 2SC4063 | 2SD998 | BUJD105AD | BDX13-5 | BCX79IX



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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