3DD13012_AN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD13012_AN  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 750 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3PN

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD13012_AN

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13012_AN даташит

 ..1. Size:161K  crhj
 3dd13012 an.pdf pdf_icon

3DD13012_AN

NPN R 3DD13012 AN 3DD13012 AN NPN VCEO 400 V IC 15 A Ptot TC=25 120 W

 4.1. Size:155K  crhj
 3dd13012 a8.pdf pdf_icon

3DD13012_AN

 6.1. Size:160K  crhj
 3dd13012an.pdf pdf_icon

3DD13012_AN

NPN R 3DD13012 AN 3DD13012 AN NPN VCEO 400 V IC 15 A Ptot TC=25 120 W

 6.2. Size:155K  crhj
 3dd13012a8.pdf pdf_icon

3DD13012_AN

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD13007_Z7, 3DD13007_Z8, 3DD13007_B8D, 3DD13009_A8, 3DD13009_AN, 3DD13009_C8, 3DD13009_X8D, 3DD13012_A8, BC557, 3DD3015_A1, 3DD3015_A3, 3DD3020_A3, 3DD3020_A6, 3DD3040_A1, 3DD3040_A3, 3DD3040_A6, 3DD3040_A7