3DD3150_A8 Todos los transistores

 

3DD3150_A8 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DD3150_A8
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
   Tensión colector-base (Vcb): 1100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 800 V
   Tensión emisor-base (Veb): 9 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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3DD3150_A8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:153K  crhj
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3DD3150_A8

NPN R 3DD3150 A8 3DD3150 A8 NPN VCEO 800 V IC 3 A Ptot W TC=25 40

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3DD3150_A8

NPN R 3DD3150 A8 3DD3150 A8 NPN VCEO 800 V IC 3 A Ptot W TC=25 40

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3DD3150_A8

2SC3150A(3DD3150A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Switching regulator applications. : Features: High V , high speed switching, wide ASO. CEO/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 1000 V CBO V 750 V

 9.1. Size:151K  crhj
 3dd3145 a6.pdf pdf_icon

3DD3150_A8

NPN R 3DD3145 A6 3DD3145 A6 NPN VCEO 600 V IC 1.3 A Ptot TC=25 50 W

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