Биполярный транзистор 3DD3150_A8 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 3DD3150_A8
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO220AB
Аналог (замена) для 3DD3150_A8
3DD3150_A8 Datasheet (PDF)
3dd3150 a8.pdf
NPN R 3DD3150 A8 3DD3150 A8 NPN VCEO 800 V IC 3 A Ptot W TC=25 40
3dd3150a.pdf
2SC3150A(3DD3150A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Switching regulator applications. : Features: High V , high speed switching, wide ASO. CEO/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 1000 V CBO V 750 V
3dd3145 a6.pdf
NPN R 3DD3145 A6 3DD3145 A6 NPN VCEO 600 V IC 1.3 A Ptot TC=25 50 W
Другие транзисторы... 3DD3020_A3 , 3DD3020_A6 , 3DD3040_A1 , 3DD3040_A3 , 3DD3040_A6 , 3DD3040_A7 , 3DD3145_A6 , 3DD3145_A8 , 2SC4793 , 3DD3320_AN , 3DD4013_A1D , 3DD4013_A6D , 3DD4013_B1D , 3DD4513_A1D , 3DD4513_A6D , 3DD4515_A1 , 3DD4515_A6 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n2924 | mpsa65 | 2sa794 | 2sa816 | 2sc897 datasheet | 2sd389 | mp41 transistor | nkt275 datasheet