3DD3150_A8 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD3150_A8  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO220AB

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD3150_A8

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD3150_A8 даташит

 ..1. Size:153K  crhj
 3dd3150 a8.pdf pdf_icon

3DD3150_A8

 7.1. Size:153K  crhj
 3dd3150a8.pdf pdf_icon

3DD3150_A8

 7.2. Size:346K  lzg
 3dd3150a.pdf pdf_icon

3DD3150_A8

2SC3150A(3DD3150A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Switching regulator applications. Features High V , high speed switching, wide ASO. CEO /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 1000 V CBO V 750 V

 9.1. Size:151K  crhj
 3dd3145 a6.pdf pdf_icon

3DD3150_A8

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD3020_A3, 3DD3020_A6, 3DD3040_A1, 3DD3040_A3, 3DD3040_A6, 3DD3040_A7, 3DD3145_A6, 3DD3145_A8, S9014, 3DD3320_AN, 3DD4013_A1D, 3DD4013_A6D, 3DD4013_B1D, 3DD4513_A1D, 3DD4513_A6D, 3DD4515_A1, 3DD4515_A6