3DD6012_A1 Todos los transistores

 

3DD6012_A1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DD6012_A1
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 900 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 530 V
   Tensión emisor-base (Veb): 9 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO92
 
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3DD6012_A1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:194K  crhj
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3DD6012_A1

NPN R 3DD6012 A1 3DD6012 A1 NPN VCEO 530 V IC 1.5 A Ptot Ta=25 0.8 W

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3DD6012_A1

NPN R 3DD6012 A6 3DD6012 A6 NPN VCEO 530 V IC 1.5 A Ptot W TC=25 50

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3DD6012_A1

NPN R 3DD6012 A6 3DD6012 A6 NPN VCEO 530 V IC 1.5 A Ptot W TC=25 50

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3DD6012_A1

3DD59/3DD60 NPN A B C D E F PCM TC=75 25 W ICM 5 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 4 /W IC=0.5A V(BR)CBO ICB=5mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=5mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=10mA 5.0 V ICBO VCB=20V 1.0 mA

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