Справочник транзисторов. 3DD6012_A1

 

Биполярный транзистор 3DD6012_A1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DD6012_A1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 530 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для 3DD6012_A1

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD6012_A1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:194K  crhj
 3dd6012 a1.pdf pdf_icon

3DD6012_A1

NPN R 3DD6012 A1 3DD6012 A1 NPN VCEO 530 V IC 1.5 A Ptot Ta=25 0.8 W

 5.1. Size:149K  crhj
 3dd6012 a6.pdf pdf_icon

3DD6012_A1

NPN R 3DD6012 A6 3DD6012 A6 NPN VCEO 530 V IC 1.5 A Ptot W TC=25 50

 7.1. Size:149K  crhj
 3dd6012a6.pdf pdf_icon

3DD6012_A1

NPN R 3DD6012 A6 3DD6012 A6 NPN VCEO 530 V IC 1.5 A Ptot W TC=25 50

 9.1. Size:151K  china
 3dd60.pdf pdf_icon

3DD6012_A1

3DD59/3DD60 NPN A B C D E F PCM TC=75 25 W ICM 5 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 4 /W IC=0.5A V(BR)CBO ICB=5mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=5mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=10mA 5.0 V ICBO VCB=20V 1.0 mA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 3DD4520_A4 , 3DD4520_A6 , 3DD4530_A1-H , 3DD4540_A3 , 3DD4540_A7 , 3DD4540_A9 , 3DD4550_A4 , 3DD6012_A6 , A1013 , 3DD741_A8 , 3DG2482H_A1 , 3DG2482S , 3DG3001_A1-H , 3DG40005AS-H , 3DG44 , BU406_A8 , UMZ7N .

 

 
Back to Top

 


 
.