3DD6012_A1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD6012_A1  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 530 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD6012_A1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD6012_A1 даташит

 ..1. Size:194K  crhj
 3dd6012 a1.pdf pdf_icon

3DD6012_A1

 5.1. Size:149K  crhj
 3dd6012 a6.pdf pdf_icon

3DD6012_A1

 7.1. Size:149K  crhj
 3dd6012a6.pdf pdf_icon

3DD6012_A1

 9.1. Size:151K  china
 3dd60.pdf pdf_icon

3DD6012_A1

3DD59/3DD60 NPN A B C D E F PCM TC=75 25 W ICM 5 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 4 /W IC=0.5A V(BR)CBO ICB=5mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=5mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=10mA 5.0 V ICBO VCB=20V 1.0 mA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD4520_A4, 3DD4520_A6, 3DD4530_A1-H, 3DD4540_A3, 3DD4540_A7, 3DD4540_A9, 3DD4550_A4, 3DD6012_A6, SS8050, 3DD741_A8, 3DG2482H_A1, 3DG2482S, 3DG3001_A1-H, 3DG40005AS-H, 3DG44, BU406_A8, UMZ7N