3DG40005AS-H Todos los transistores

 

3DG40005AS-H . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DG40005AS-H
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 500 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 20 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

3DG40005AS-H Datasheet (PDF)

 6.1. Size:144K  crhj
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3DG40005AS-H

NPN R 3DG40005 AS-H 3DG40005 AS-H EB VEBO>20V NPN VCEO 400 V IC 50 mA hFE Ptot Ta=25 0.3 W

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3DG40005AS-H

2SC4003(3DG4003) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose: High voltage driver applications. MBIT FeaturesHigh breakdown voltage, adoption of MBIT process excellent h linearity. FE/Absolute maximum ratings(Ta=25)

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3DG40005AS-H

2SC4081(3DG4081) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: General amplifier. : Features: Low C ob./Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO V 7.0 V EBO I 150 mA C P 200 mW C T 150 j T -55150

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3DG40005AS-H

2SC4081W(3DG4081W) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: General amplifier. : Features: Low C ob./Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO V 7.0 V EBO I 150 mA C P 200 mW C T 150 j T -55150

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History: AD-MMBTA28 | 2SC3274 | BSY18

 

 
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