Биполярный транзистор 3DG40005AS-H - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DG40005AS-H
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для 3DG40005AS-H
3DG40005AS-H Datasheet (PDF)
3dg40005 as-h.pdf
NPN R 3DG40005 AS-H 3DG40005 AS-H EB VEBO>20V NPN VCEO 400 V IC 50 mA hFE Ptot Ta=25 0.3 W
3dg4003.pdf
2SC4003(3DG4003) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose: High voltage driver applications. MBIT FeaturesHigh breakdown voltage, adoption of MBIT process excellent h linearity. FE/Absolute maximum ratings(Ta=25)
3dg4081.pdf
2SC4081(3DG4081) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: General amplifier. : Features: Low C ob./Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO V 7.0 V EBO I 150 mA C P 200 mW C T 150 j T -55150
3dg4081w.pdf
2SC4081W(3DG4081W) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: General amplifier. : Features: Low C ob./Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO V 7.0 V EBO I 150 mA C P 200 mW C T 150 j T -55150
3dg4097.pdf
2SC4097(3DG4097) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Medium power transistor. :, 2SA1577(3CG1577) Features: Low C , complements the 2SA1577(3CG1577). ob/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 40 V CBO V 32 V CEO V 5.0
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
