Справочник транзисторов. 3DG40005AS-H

 

Биполярный транзистор 3DG40005AS-H Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DG40005AS-H
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для 3DG40005AS-H

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG40005AS-H Datasheet (PDF)

 6.1. Size:144K  crhj
 3dg40005 as-h.pdf pdf_icon

3DG40005AS-H

NPN R 3DG40005 AS-H 3DG40005 AS-H EB VEBO>20V NPN VCEO 400 V IC 50 mA hFE Ptot Ta=25 0.3 W

 8.1. Size:256K  lzg
 3dg4003.pdf pdf_icon

3DG40005AS-H

2SC4003(3DG4003) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose: High voltage driver applications. MBIT FeaturesHigh breakdown voltage, adoption of MBIT process excellent h linearity. FE/Absolute maximum ratings(Ta=25)

 9.1. Size:215K  lzg
 3dg4081.pdf pdf_icon

3DG40005AS-H

2SC4081(3DG4081) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: General amplifier. : Features: Low C ob./Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO V 7.0 V EBO I 150 mA C P 200 mW C T 150 j T -55150

 9.2. Size:206K  lzg
 3dg4081w.pdf pdf_icon

3DG40005AS-H

2SC4081W(3DG4081W) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: General amplifier. : Features: Low C ob./Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO V 7.0 V EBO I 150 mA C P 200 mW C T 150 j T -55150

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 3DD4540_A9 , 3DD4550_A4 , 3DD6012_A6 , 3DD6012_A1 , 3DD741_A8 , 3DG2482H_A1 , 3DG2482S , 3DG3001_A1-H , 2SC2655 , 3DG44 , BU406_A8 , UMZ7N , BC846BPN , EMZ8 , XN4601 , BCV27T , 2SB1580 .

 

 
Back to Top

 


 
.