3DG40005AS-H datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DG40005AS-H  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DG40005AS-H

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG40005AS-H даташит

 6.1. Size:144K  crhj
 3dg40005 as-h.pdf pdf_icon

3DG40005AS-H

 8.1. Size:256K  lzg
 3dg4003.pdf pdf_icon

3DG40005AS-H

 9.1. Size:215K  lzg
 3dg4081.pdf pdf_icon

3DG40005AS-H

2SC4081(3DG4081) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose General amplifier. Features Low C ob. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO V 7.0 V EBO I 150 mA C P 200 mW C T 150 j T -55 150

 9.2. Size:206K  lzg
 3dg4081w.pdf pdf_icon

3DG40005AS-H

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD4540_A9, 3DD4550_A4, 3DD6012_A6, 3DD6012_A1, 3DD741_A8, 3DG2482H_A1, 3DG2482S, 3DG3001_A1-H, 2SC945, 3DG44, BU406_A8, UMZ7N, BC846BPN, EMZ8, XN4601, BCV27T, 2SB1580