UMZ7N Todos los transistores

 

UMZ7N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UMZ7N
   Código: Z7
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 15 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 320(260) MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 7.5(6.5) pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 270
   Paquete / Cubierta: SOT363
 

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UMZ7N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:997K  rohm
 emz7 umz7n.pdf pdf_icon

UMZ7N

General purpose transistor (dual transistors) EMZ7 / UMZ7N Features Dimensions (Unit : mm) 1) Both a 2SA2018 chip and 2SC5585 chip in EMZ7 UMZ7Na EMT or UMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 (4) ( )3automatic mounting machines. ( ) ( )5 23) Transistor elements are independent, eliminating ( ) (1)61.2 interference. 1.61.254) Mounting cost

 ..2. Size:1458K  kexin
 umz7n.pdf pdf_icon

UMZ7N

SMD Type TransistorsComposite TransistorsUMZ7N Features Transistor elements are independent, eliminating interference Mounting cost and area be cut in half Low VCE(sat)(3) (2) (1)Tr1Tr2(4) (5) (6) Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Tr1 Tr2 Unit Collector - Base Voltage VCBO 15 -15 Collector - Emitter Voltage VCEO 12 -12 V Emitter

Otros transistores... 3DD6012_A1 , 3DD741_A8 , 3DG2482H_A1 , 3DG2482S , 3DG3001_A1-H , 3DG40005AS-H , 3DG44 , BU406_A8 , 2SB817 , BC846BPN , EMZ8 , XN4601 , BCV27T , 2SB1580 , 2SD2212 , MUN2231 , DTA113ZCA .

 

 
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