Биполярный транзистор UMZ7N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: UMZ7N
Маркировка: Z7
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 320(260) MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7.5(6.5) pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
Корпус транзистора: SOT363
UMZ7N Datasheet (PDF)
emz7 umz7n.pdf
General purpose transistor (dual transistors) EMZ7 / UMZ7N Features Dimensions (Unit : mm) 1) Both a 2SA2018 chip and 2SC5585 chip in EMZ7 UMZ7Na EMT or UMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 (4) ( )3automatic mounting machines. ( ) ( )5 23) Transistor elements are independent, eliminating ( ) (1)61.2 interference. 1.61.254) Mounting cost
umz7n.pdf
SMD Type TransistorsComposite TransistorsUMZ7N Features Transistor elements are independent, eliminating interference Mounting cost and area be cut in half Low VCE(sat)(3) (2) (1)Tr1Tr2(4) (5) (6) Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Tr1 Tr2 Unit Collector - Base Voltage VCBO 15 -15 Collector - Emitter Voltage VCEO 12 -12 V Emitter
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050