UMZ7N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UMZ7N  📄📄 

Маркировка: Z7

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 320(260) MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7.5(6.5) pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 270

Корпус транзистора: SOT363

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UMZ7N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMZ7N даташит

 ..1. Size:997K  rohm
 emz7 umz7n.pdf pdf_icon

UMZ7N

General purpose transistor (dual transistors) EMZ7 / UMZ7N Features Dimensions (Unit mm) 1) Both a 2SA2018 chip and 2SC5585 chip in EMZ7 UMZ7N a EMT or UMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 (4) ( ) 3 automatic mounting machines. ( ) ( ) 5 2 3) Transistor elements are independent, eliminating ( ) (1) 6 1.2 interference. 1.6 1.25 4) Mounting cost

 ..2. Size:1458K  kexin
 umz7n.pdf pdf_icon

UMZ7N

SMD Type Transistors Composite Transistors UMZ7N Features Transistor elements are independent, eliminating interference Mounting cost and area be cut in half Low VCE(sat) (3) (2) (1) Tr1 Tr2 (4) (5) (6) Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Tr1 Tr2 Unit Collector - Base Voltage VCBO 15 -15 Collector - Emitter Voltage VCEO 12 -12 V Emitter

Другие транзисторы: 3DD6012_A1, 3DD741_A8, 3DG2482H_A1, 3DG2482S, 3DG3001_A1-H, 3DG40005AS-H, 3DG44, BU406_A8, S9013, BC846BPN, EMZ8, XN4601, BCV27T, 2SB1580, 2SD2212, MUN2231, DTA113ZCA