SBT5853PT2G Todos los transistores

 

SBT5853PT2G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SBT5853PT2G
   Código: G6
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
   Tensión colector-base (Vcb): 55 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 85 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SOT163
 

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SBT5853PT2G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1504K  kexin
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SBT5853PT2G

SMD Type TransistorsPNP TransistorsSBT5853PT2G( )SOT-23-6 Unit: mm0.4+0.1-0.1 Features6 5 4 Collector Current Capability IC=-2A Collector Emitter Voltage VCEO=-35V2 31+0.02COLLECTOR0.15 -0.02+0.01-0.011, 2, 5, 6+0.2-0.13BASE4EMITTER Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -5

 5.1. Size:1533K  kexin
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SBT5853PT2G

SMD Type TransistorsPNP TransistorsSBT5853PT1G( )SOT-23-6 Unit: mm0.4+0.1-0.1 Features6 5 4 Collector Current Capability IC=-2A Collector Emitter Voltage VCEO=-35V2 31+0.02COLLECTOR0.15 -0.02+0.01-0.011, 2, 5, 6+0.2-0.13BASE4EMITTER Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -5

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