Биполярный транзистор SBT5853PT2G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: SBT5853PT2G
Маркировка: G6
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 85 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT163
Аналоги (замена) для SBT5853PT2G
SBT5853PT2G Datasheet (PDF)
sbt5853pt2g.pdf
SMD Type TransistorsPNP TransistorsSBT5853PT2G( )SOT-23-6 Unit: mm0.4+0.1-0.1 Features6 5 4 Collector Current Capability IC=-2A Collector Emitter Voltage VCEO=-35V2 31+0.02COLLECTOR0.15 -0.02+0.01-0.011, 2, 5, 6+0.2-0.13BASE4EMITTER Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -5
sbt5853pt1g.pdf
SMD Type TransistorsPNP TransistorsSBT5853PT1G( )SOT-23-6 Unit: mm0.4+0.1-0.1 Features6 5 4 Collector Current Capability IC=-2A Collector Emitter Voltage VCEO=-35V2 31+0.02COLLECTOR0.15 -0.02+0.01-0.011, 2, 5, 6+0.2-0.13BASE4EMITTER Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -5
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: RTGN426AP
History: RTGN426AP
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050