SBT5853PT2G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SBT5853PT2G

Маркировка: G6

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 85 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT163

 Аналоги (замена) для SBT5853PT2G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SBT5853PT2G даташит

 ..1. Size:1504K  kexin
 sbt5853pt2g.pdf pdf_icon

SBT5853PT2G

SMD Type Transistors PNP Transistors SBT5853PT2G ( ) SOT-23-6 Unit mm 0.4+0.1 -0.1 Features 6 5 4 Collector Current Capability IC=-2A Collector Emitter Voltage VCEO=-35V 2 3 1 +0.02 COLLECTOR 0.15 -0.02 +0.01 -0.01 1, 2, 5, 6 +0.2 -0.1 3 BASE 4 EMITTER Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -5

 5.1. Size:1533K  kexin
 sbt5853pt1g.pdf pdf_icon

SBT5853PT2G

SMD Type Transistors PNP Transistors SBT5853PT1G ( ) SOT-23-6 Unit mm 0.4+0.1 -0.1 Features 6 5 4 Collector Current Capability IC=-2A Collector Emitter Voltage VCEO=-35V 2 3 1 +0.02 COLLECTOR 0.15 -0.02 +0.01 -0.01 1, 2, 5, 6 +0.2 -0.1 3 BASE 4 EMITTER Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -5

Другие транзисторы: KXC1504, MMBT3904-D, MMBT3904DW, MMBT3906-D, MMBT3906DW, MMBT5087, NSS1C200LT1G, SBT5853PT1G, 2N2907, ZX5T150, ZX5T250, ZXTP2013, SD1441, SD1477, SD1538-8, TP9380, TPV375