Справочник транзисторов. SBT5853PT2G

 

Биполярный транзистор SBT5853PT2G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: SBT5853PT2G
   Маркировка: G6
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 85 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT163
 

 Аналог (замена) для SBT5853PT2G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SBT5853PT2G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1504K  kexin
 sbt5853pt2g.pdf pdf_icon

SBT5853PT2G

SMD Type TransistorsPNP TransistorsSBT5853PT2G( )SOT-23-6 Unit: mm0.4+0.1-0.1 Features6 5 4 Collector Current Capability IC=-2A Collector Emitter Voltage VCEO=-35V2 31+0.02COLLECTOR0.15 -0.02+0.01-0.011, 2, 5, 6+0.2-0.13BASE4EMITTER Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -5

 5.1. Size:1533K  kexin
 sbt5853pt1g.pdf pdf_icon

SBT5853PT2G

SMD Type TransistorsPNP TransistorsSBT5853PT1G( )SOT-23-6 Unit: mm0.4+0.1-0.1 Features6 5 4 Collector Current Capability IC=-2A Collector Emitter Voltage VCEO=-35V2 31+0.02COLLECTOR0.15 -0.02+0.01-0.011, 2, 5, 6+0.2-0.13BASE4EMITTER Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -5

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: BC215A | GT122G

 

 
Back to Top

 


 
.