TP9380 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TP9380
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 140 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 108 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 85 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: 500-4L-FLG
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar TP9380
TP9380 Datasheet (PDF)
tp9380.pdf
TP9380 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI TP9380 is Designed for PACKAGE STYLE .500 4L FLG Class C, FM Broadcast Applications up to 108 MHz. .112x45 LAC .125 NOM.E FULL RFEATURES:C Class C Operation B PG = 10 dB at 75 W/108 MHz BE Omnigold Metalization System E D F G HKJIMAXIMUM RATINGS MINIMUM MAXIMUM
tp9383.pdf
HG RF POWER TRANSISTORTP9383SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORDESCRIPTION:PACKAGE STYLE 500 4L FLGThe HG TP9383 is a CommonEmitter Device Designed for FMBroadcast Transmitter Applications inthe 88 to 108 MHz Band.FEATURES INCLUDE:High Efficiency.. Gold Metallization. Emitter BallastingMAXIMUM RATINGSIC 16 AVCBO 60 VPDISS 230 W
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: KRC683T | KT399A
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050