TP9380 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TP9380

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 140 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 35 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 108 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 85 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: 500-4L-FLG

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TP9380 datasheet

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TP9380

TP9380 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The ASI TP9380 is Designed for PACKAGE STYLE .500 4L FLG Class C, FM Broadcast Applications up to 108 MHz. .112x45 L A C .125 NOM. E FULL R FEATURES C Class C Operation B PG = 10 dB at 75 W/108 MHz B E Omnigold Metalization System E D F G H K J I MAXIMUM RATINGS MINIMUM MAXIMUM

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TP9380

HG RF POWER TRANSISTOR TP9383 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION PACKAGE STYLE 500 4L FLG The HG TP9383 is a Common Emitter Device Designed for FM Broadcast Transmitter Applications in the 88 to 108 MHz Band. FEATURES INCLUDE High Efficiency . . Gold Metallization . Emitter Ballasting MAXIMUM RATINGS IC 16 A VCBO 60 V PDISS 230 W

Otros transistores... SBT5853PT1G, SBT5853PT2G, ZX5T150, ZX5T250, ZXTP2013, SD1441, SD1477, SD1538-8, D882P, TPV375, 2N2221AUA, 2N2221AUB, 2N22221AL, 2N2222AL, 2N2222AUA, 2N3418S, 2N3419S