3CA1129 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CA1129

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO220

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3CA1129 datasheet

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3CA1129

2SA1129(3CA1129) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose For low-frequency power amplifiers and mid-speed switching. , 2SC2654(3DA2654) Features Large current capacity with small package, low collector saturation voltage, pair with 2SC2654(3DA2654). /Absolute

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3CA1129

2SB1184(3CA1184) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Power amplifier applications , 2SD1760(3DA1760) Features Low V complements the 2SD1760(3DA1760). CE(sat), /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -50 V CEO

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3CA1129

2SB1185(3CA1185) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Power amplifier applications. V 2SD1762(3DA1762) CE(sat) Features Low V ,complementary pair with 2SD1762(3DA1762). CE(sat) /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -50 V CEO

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3CA1129

TIP117(3CA117) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Medium power linear switching applications. TIP112(3DA112) Features Complement to TIP112(3DA112). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -100 V CBO V -100 V CEO V -5.0 V EBO

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