2N6569 Todos los transistores

 

2N6569 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N6569
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-base (Vcb): 45 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1500 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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2N6569 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  mospec
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2N6569

AAA

 ..2. Size:150K  jmnic
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2N6569

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6569 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2N6594 Wide area of safe operation APPLICATIONS Designed for low voltage amplifier power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBO

 ..3. Size:117K  inchange semiconductor
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2N6569

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6569 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2N6594 Wide area of safe operation APPLICATIONS Designed for low voltage amplifier power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 CollectorAbsolute maximum rating

 9.1. Size:298K  rca
 2n583 2n584 2n640 2n641 2n642 2n643 2n644 2n645 2n656 2n696.pdf pdf_icon

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History: BCR162 | D27C4

 

 
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