2N6569 - описание и поиск аналогов

 

2N6569. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N6569

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1500 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2N6569

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N6569 даташит

 ..1. Size:144K  mospec
2n6569.pdfpdf_icon

2N6569

A A A

 ..2. Size:150K  jmnic
2n6569.pdfpdf_icon

2N6569

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6569 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2N6594 Wide area of safe operation APPLICATIONS Designed for low voltage amplifier power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBO

 ..3. Size:117K  inchange semiconductor
2n6569.pdfpdf_icon

2N6569

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6569 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2N6594 Wide area of safe operation APPLICATIONS Designed for low voltage amplifier power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum rating

Другие транзисторы: 2N6559, 2N656, 2N6560, 2N6561, 2N6562, 2N6563, 2N6566, 2N6567, 8550, 2N656A, 2N656S, 2N657, 2N6570, 2N6571, 2N6572, 2N6573, 2N6574

 

 

 

 

↑ Back to Top
.