STC04IE170HV Todos los transistores

 

STC04IE170HV . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STC04IE170HV
   Código: C04IE170HV
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 178 W
   Tensión colector-base (Vcb): 1700 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 1700 V
   Tensión emisor-base (Veb): 17 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.14 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 7
   Paquete / Cubierta: TO247-4L
 

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STC04IE170HV Datasheet (PDF)

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STC04IE170HV

STC04IE170HVMonolithic emitter switched bipolar transistorESBT 1700 V - 4 A - 0.17 FeaturesVCS(ON) IC RCS(ON)0.7 V 4 A 0.17 High voltage / high current cascode configuration Low equivalent ON resistanceTO247-4L HV Very fast-switch: up to 150 kHz Squared RBSOA: up to 1700 V Very low CISS driven by RG = 47 Very low turn-off cross over timeFi

 3.1. Size:262K  st
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STC04IE170HV

STC04IE170HPMonolithic emitter switched bipolar transistorESBT 1700 V - 4 A - 0.17 FeaturesVCS(ON) IC RCS(ON)0.7 V 4 A 0.17 High voltage / high current cascode configuration Low equivalent ON resistanceTO247-4L HP Very fast-switch, up to 150 kHz Squared RBSOA, up to 1700 V Very low CISS driven by RG = 47 Figure 1. Internal schematic diagrams

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History: 2N6556 | 2N4971 | CS9011F | 3CD3C

 

 
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