Биполярный транзистор STC04IE170HV - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: STC04IE170HV
Маркировка: C04IE170HV
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 178 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1700 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 17 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.14 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7
Корпус транзистора: TO247-4L
Аналоги (замена) для STC04IE170HV
STC04IE170HV Datasheet (PDF)
stc04ie170hv.pdf
STC04IE170HVMonolithic emitter switched bipolar transistorESBT 1700 V - 4 A - 0.17 FeaturesVCS(ON) IC RCS(ON)0.7 V 4 A 0.17 High voltage / high current cascode configuration Low equivalent ON resistanceTO247-4L HV Very fast-switch: up to 150 kHz Squared RBSOA: up to 1700 V Very low CISS driven by RG = 47 Very low turn-off cross over timeFi
stc04ie170hp.pdf
STC04IE170HPMonolithic emitter switched bipolar transistorESBT 1700 V - 4 A - 0.17 FeaturesVCS(ON) IC RCS(ON)0.7 V 4 A 0.17 High voltage / high current cascode configuration Low equivalent ON resistanceTO247-4L HP Very fast-switch, up to 150 kHz Squared RBSOA, up to 1700 V Very low CISS driven by RG = 47 Figure 1. Internal schematic diagrams
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050