RN2203 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RN2203
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 22 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 22 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar RN2203
RN2203 Datasheet (PDF)
9.1. Size:256K toshiba
rn2201-06.pdf
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RN2201~RN2206 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2201,RN2202,RN2203 RN2204,RN2205,RN2206 Unit: mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1201~RN1206 Equivalent Circuit and Bias
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