RN2203 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RN2203
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 22 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 22 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
Paquete / Cubierta: TO92
- Selección de transistores por parámetros
RN2203 Datasheet (PDF)
rn2201-06.pdf

RN2201~RN2206 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2201,RN2202,RN2203 RN2204,RN2205,RN2206 Unit: mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1201~RN1206 Equivalent Circuit and Bias
Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: GES2219 | IMH9A | KT325BM | MBT3904DW | KT815G9 | BDX13-5 | BCX79IX
History: GES2219 | IMH9A | KT325BM | MBT3904DW | KT815G9 | BDX13-5 | BCX79IX



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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