RN2203 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN2203  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN2203

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN2203 даташит

 9.1. Size:256K  toshiba
 rn2201-06.pdf pdf_icon

RN2203

RN2201 RN2206 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2201,RN2202,RN2203 RN2204,RN2205,RN2206 Unit mm Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1201 RN1206 Equivalent Circuit and Bias

Другие транзисторы: STA413A, STA421A, STA431A, STA434A, RN1210, RN1211, RN2201, RN2202, BC547B, RN2204, RN2205, RN2206, 3DA1360, 3DA1360A, 3DA1383, 3DA1384, 3DA14