3DA27 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DA27
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 10
Encapsulados: TO3
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3DA27 datasheet
3da14 3da27 3da28.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DA14, 3DA27, 3DA28 NPN Silicon High Frequency High Power Transistor Features 1. Excellent second breakdown capacity. Good characteristic frequency. 2. Amplification factor of small current is great. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for a
3da27c.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 3DA27C DESCRIPTION With TO-3 High DC Current Gain- h >10@I = 1.5A FE C High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 180V(Min) (BR)CEO Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power dissipation ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Volta
Otros transistores... RN2204 , RN2205 , RN2206 , 3DA1360 , 3DA1360A , 3DA1383 , 3DA1384 , 3DA14 , D882P , 3DA28 , 3DA142T , 3DA3788 , 3DA3790 , 3DA3807 , 3DA3834 , 3DA3834F , 3DA3852R .
History: TTC008
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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