3DA5200B Todos los transistores

 

3DA5200B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DA5200B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 160 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 55
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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3DA5200B Datasheet (PDF)

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3DA5200B

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-3P Plastic-Encapsulate Transistors TO 3P 3DA5200B TRANSISTOR (NPN) 1. BASE FEATURES 2. COLLECTOR High Breakdown Voltage High Current and Power Capacity 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 160 V VCEO Collector-Emitter Voltage 160

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3DA5200B

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-3P Plastic-Encapsulate Transistors TO 3P 3DA5200A TRANSISTOR (NPN) 1. BASE FEATURES 2. COLLECTOR High Breakdown Voltage High Current and Power Capacity 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 200 V VCEO Collector-Emitter Voltage 200

 7.2. Size:116K  jiangsu
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3DA5200B

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-3P Plastic-Encapsulate Transistors TO 3P 3DA5200C TRANSISTOR (NPN) 1. BASE FEATURES 2. COLLECTOR High Breakdown Voltage High Current and Power Capacity 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 120 V VCEO Collector-Emitter Voltage 120

Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: BUV98AV | DK151 | MJ10005P

 

 
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