3DA325 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DA325
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.75 W
Tensión colector-base (Vcb): 35 V
Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 8 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO276AB TO220 TO257
Búsqueda de reemplazo de 3DA325
3DA325 Datasheet (PDF)
3da325 2sd325.pdf

3DA325(2SD325) NPN PCM TC=25 1.75 W ICM 1.5 A Tjm 150 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 71 /W IC=0.3A V(BR)CBO ICB=1mA 35 V V(BR)CEO ICE=1mA 35 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=20V 0.1 A IEBO VCE=5.0V 1.0 A VBEsat 1.5 IC=1.5A V IB
2sc3279 3da3279.pdf

2SC3279(3DA3279) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Medium power amplifier applications. : Features: High DC current gain and excellent h linearity, low saturation voltage. FE/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol
ktc3209 3da3209.pdf

KTC3209(3DA3209) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :,/Purpose: Power amplifier and switching applications. :,, KTA1281(3CA1281) Features: Low saturation voltage, high speed switching time, complementary to KTA1281(3CA1281). /Absolute maximum ratings(Ta=25)
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History: HSD882
History: HSD882



Liste
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