3DA5D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DA5D
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 5 W
Tensión colector-base (Vcb): 150 V
Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.75 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO3
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3DA5D Datasheet (PDF)
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Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DA5NPN Silicon High Frequency High Power Transistor Features: 1. Excellent second breakdown capacity. Good characteristic frequency. 2. Amplification factor of small current is great. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for analog computer p
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Liste
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