3DA5E Todos los transistores

 

3DA5E Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DA5E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.75 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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3DA5E PDF detailed specifications

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3DA5E

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DA5 NPN Silicon High Frequency High Power Transistor Features 1. Excellent second breakdown capacity. Good characteristic frequency. 2. Amplification factor of small current is great. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for analog computer p... See More ⇒

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History: FA1L3Z-L38

 

 
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