3DA5G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DA5G
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 5 W
Tensión colector-base (Vcb): 300 V
Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.75 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO3
- Selección de transistores por parámetros
3DA5G Datasheet (PDF)
3da5a 3da5b 3da5c 3da5d 3da5e 3da5f 3da5g.pdf

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DA5NPN Silicon High Frequency High Power Transistor Features: 1. Excellent second breakdown capacity. Good characteristic frequency. 2. Amplification factor of small current is great. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for analog computer p
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History: HSBD179 | SGSIF444 | BD530-5 | PN4142 | CHDTA113ZUGP | MT3S111 | HB834
History: HSBD179 | SGSIF444 | BD530-5 | PN4142 | CHDTA113ZUGP | MT3S111 | HB834



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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