3DA5G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DA5G  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.75 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DA5G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DA5G даташит

 ..1. Size:25K  shaanxi
 3da5a 3da5b 3da5c 3da5d 3da5e 3da5f 3da5g.pdf pdf_icon

3DA5G

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DA5 NPN Silicon High Frequency High Power Transistor Features 1. Excellent second breakdown capacity. Good characteristic frequency. 2. Amplification factor of small current is great. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for analog computer p

Другие транзисторы: 3DA3942, 3DA4002, 3DA5A, 3DA5B, 3DA5C, 3DA5D, 3DA5E, 3DA5F, 2N5401, 3DA50A, 3DA50B, 3DA50C, 3DA50D, 3DA50E, 3DA50F, 3DA50G, 3DA5038