3DA50F Todos los transistores

 

3DA50F . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DA50F
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 250 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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3DA50F Datasheet (PDF)

 9.1. Size:105K  china
 3da5038.pdf pdf_icon

3DA50F

3DA5038 NPN PCM TC=25 140 W ICM 20 A Tjm 175 Tstg -55~175 V(BR)CBO ICB=10mA 150 V V(BR)CEO ICE=10mA 150 V V(BR)EBO IEB=10mA 5 V ICBO VCB=Vcbo 1.0 mA ICEO VEB=0.5VCEO 1.0 mA IC=10A VCEsat 1.5 IB=2A VCE=5V hFE 55~80 IC=10A

 9.2. Size:25K  shaanxi
 3da50.pdf pdf_icon

3DA50F

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DA50NPN Silicon High Frequency High Power Transistor Features: 1. Excellent second breakdown capacity. Good characteristic frequency. 2. Amplification factor of small current is great. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for analog computer

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History: KT885A | 2N447 | 2N1182 | 2SA486

 

 
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