3DA75B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DA75B
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 75 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 7.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 30 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 15
Encapsulados: TO3
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3DA75B datasheet
3da752.pdf
3DA752(NPN) TO-251/TO-252-2L Transistor TO-251 1.BASE 2.COLLECTOR 3.EMITTER 1 2 3 Features Power dissipation MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units TO-252-2L VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 2 A PC Collector power dissipation
3da75.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DA75 NPN Silicon High Frequency High Power Transistor Features 1. Excellent second breakdown capacity. Good characteristic frequency. 2. Amplification factor of small current is great. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for analog computer
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History: 2SC6144SG | 3DA50E
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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