3DA75B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DA75B  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DA75B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DA75B даташит

 9.1. Size:186K  lge
 3da752.pdf pdf_icon

3DA75B

3DA752(NPN) TO-251/TO-252-2L Transistor TO-251 1.BASE 2.COLLECTOR 3.EMITTER 1 2 3 Features Power dissipation MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units TO-252-2L VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 2 A PC Collector power dissipation

 9.2. Size:25K  shaanxi
 3da75.pdf pdf_icon

3DA75B

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DA75 NPN Silicon High Frequency High Power Transistor Features 1. Excellent second breakdown capacity. Good characteristic frequency. 2. Amplification factor of small current is great. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for analog computer

Другие транзисторы: 3DA608A, 3DA608B, 3DA608C, 3DA608D, 3DA608E, 3DA608F, 3DA6718, 3DA75A, 2SC2073, 3DA75C, 3DA75D, 3DA75E, 3DA75F, 3DA75G, 3DA752, 2N6922, 2N6922A