3DA75E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DA75E
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 75 W
Tensión colector-base (Vcb): 200 V
Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 7.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3DA75E
3DA75E Datasheet (PDF)
3da752.pdf
3DA752(NPN) TO-251/TO-252-2L TransistorTO-2511.BASE 2.COLLECTOR 3.EMITTER 1 2 3 Features Power dissipation MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsTO-252-2LVCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 2 A PC Collector power dissipation
3da75.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DA75NPN Silicon High Frequency High Power Transistor Features: 1. Excellent second breakdown capacity. Good characteristic frequency. 2. Amplification factor of small current is great. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for analog computer
Otros transistores... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050